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SPP02N60S5

更新時間:2025-07-06 00:17:26

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SPP02N60S5 概述

SPP02N60S5是由英飛凌科技生產(chǎn)的高性能N溝道MOSFET，采用先進工藝制造，專為高頻開關應用優(yōu)化。其低導通電阻和快速開關特性使其在功率轉換電路中表現(xiàn)出色。該器件的最大漏源電壓為600V，適用于各種高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括開關電源、照明控制、電機驅動以及不間斷電源系統(tǒng)等。在實際應用中，建議將其用于硬開關和軟開關拓撲結構中以實現(xiàn)高效能。設計時需注意柵極驅動電路的設計，確保足夠的驅動電壓來充分開啟MOSFET。此外，在PCB布局階段應盡量減小寄生電感，避免影響開關性能。對于需要高效率和緊湊設計的應用，此款MOSFET是一個理想選擇。

SPP02N60S5 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
1.8 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
3 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220
封裝
Tube
下降時間
20 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
25 W
上升時間
35 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關閉延遲時間
35 ns
零件號別名
SP000681016 SPP02N60S5HKSA1 SPP02N60S5XKSA1

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