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SPD35N10

更新時間:2025-06-15 10:02:46

供應商
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廠商
封裝/批號
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詢價

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SPD35N10 概述

SPD35N10是由Shindengen（新電元）公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件專為高效率開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。它能夠在高達100V的漏源電壓下工作，連續(xù)漏極電流額定值達到35A，適用于各類電源轉換設備。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動以及電池管理系統(tǒng)等需要高效能開關元件的場合。在實際使用中，應確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，通常建議柵極電壓至少為10V。此外，在PCB布局時需注意減小源極引腳的寄生電感，這有助于降低開關損耗并提高整體效率。對于高頻率應用，還需考慮適當?shù)纳岽胧┮跃S持器件穩(wěn)定工作溫度。

SPD35N10 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
35 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
44 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
23 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
23 S / 12 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
150 W
上升時間
63 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
39 ns

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SPD30N03S2L-10
SPD30N03S2L-20
SPD30N06
SPD30N06S2-15
SS8050

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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