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SPD30P06PGBTMA1

更新時間:2025-06-14 16:34:58

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詢價

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SPD30P06PGBTMA1 概述

這是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款功率MOSFET。它采用ST先進的MDmesh M2技術，具有低柵極電荷和低反向傳輸電容特性，可實現(xiàn)快速開關操作。該MOSFET的封裝形式為PolarPAK，這種封裝有助于提高散熱效率。主要應用于開關電源、適配器、服務器電源等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在使用時需注意其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流會受溫度影響，設計電路時要充分考慮散熱以確保器件工作在安全范圍內(nèi)。在典型應用電路中，常與驅(qū)動芯片配合用于同步整流電路，以提升電源轉(zhuǎn)換效率。如果用于高頻開關電源設計，應仔細選擇合適的柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關速度和EMI性能。

SPD30P06PGBTMA1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
13,361現(xiàn)貨
系列
SIPMOS?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
75 毫歐 @ 21.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.7mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1535 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

SPD30P06PGBTMA1推薦型號

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SPD30N03
SPD30N03L
SPD30N03S2L-10
SPD30N03S2L-20
SPD30N06
SPD30N06S2-15
SPD30N06S2L-23
S8550

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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