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SPD11N10

更新時間:2025-07-05 15:01:03

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SPD11N10 概述

SPD11N10是由STMicroelectronics生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流能力達到11A，非常適合用于電源管理和電機驅動領域。在電源管理方面，它可以作為同步整流器或者DC-DC轉換器中的主開關管使用；在電機驅動應用中，可用于控制無刷直流電機或步進電機的速度與方向。設計電路時應注意正確選擇柵極電阻以確保最佳的開關性能，并且要保證散熱措施得當以維持器件工作溫度在安全范圍內。此外，在進行PCB布局時應盡量減小寄生電感對高速開關過程的影響。

SPD11N10 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
10.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
170 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
23 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
5.8 S / 2.6 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
50 W
上升時間
46 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
29 ns

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