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SPB80N03S2L-03 G

更新時間:2025-06-06 11:32:27

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SPB80N03S2L-03 G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
80A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.8 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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SPB80N04S2-H4
STM32F103VBT6

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