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SPB17N80C3

更新時間:2025-05-17 09:16:15

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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深圳市福田區(qū)鵬勝翔電子商行
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深圳市芯福林電子科技有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市匯萊威科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市宇集芯電子有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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原裝低價優(yōu)勢配單十年

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深圳市硅諾電子科技有限公司
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SPB17N80C3 概述

SPB17N80C3是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh技術(shù)，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為17A，柵極電荷較低，有助于提高系統(tǒng)效率并減少開關(guān)損耗。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等需要高效能量轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在實際設(shè)計中，建議使用適當?shù)臇艠O電阻以控制開關(guān)速度，并確保良好的PCB布局以降低寄生電感影響。此外，在高溫環(huán)境下工作時需考慮適當?shù)纳岽胧缡褂蒙崞蚶鋮s風扇，以維持器件穩(wěn)定運行。

SPB17N80C3 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
290 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
177nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2300pF @ 100V
功率 - 最大
227W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設(shè)備封裝
P-TO263-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000013370SPB17N80C3INTRSPB17N80C3TSPB17N80C3XTSPB17N80C3XTINTRSPB17N80C3XTINTR-ND

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SPB17N80C3
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SPB100N08S2-07
SPB100N08S2L
SPB100N08S2L-07
STM32F405RGT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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