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SP8M10FU6TB

更新時間:2025-05-19 02:20:36

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SP8M10FU6TB外觀圖

SP8M10FU6TB

ROHM Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

SP8M10FU6TB 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7A，4.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
24 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11.8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
600pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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SP8M3FD5TB
SP8M3FD5TB1
SMBJ6.5CA

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