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SIS472ADN-T1-GE3

更新時間:2025-05-22 22:37:45

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
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深圳市福啟達科技有限公司
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一站式配單，只做原裝

深圳市賽美科科技有限公司
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64540
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

艾潤（香港）電子有限公司
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原裝部分現(xiàn)貨量大期貨

深圳市君云達電子科技有限公司
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原裝正支持實單

深圳市盈熙微科技有限公司
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SIS472ADN-T1-GE3 概述

SIS472ADN-T1-GE3是Vishay Siliconix出品的一款雙路P溝道MOSFET，采用SO-8封裝。該MOSFET專為低電壓應(yīng)用而設(shè)計，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，這使得它在開關(guān)應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)高效能和快速切換。典型的應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、電源管理以及便攜式設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其優(yōu)秀的導通電阻與柵極電荷乘積（RDS(on) * Qg）確保了較低的傳導損耗和開關(guān)損耗，從而延長電池供電設(shè)備的工作時間。由于具備良好的熱穩(wěn)定性和緊湊的封裝尺寸，也適合空間受限的設(shè)計需求。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意遵循推薦的PCB布局指南以優(yōu)化散熱性能并減少寄生效應(yīng)。

SIS472ADN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
8.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1515 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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SIS406DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3
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SIS410DN
SG3525AN

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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