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SIS412DN

更新時間:2025-05-20 22:14:13

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SIS412DN 概述

SIS412DN是由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用小型的TSOP-6封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適合在緊湊型電路設計中使用。其最大漏源電壓為-20V，適用于電池供電設備、負載開關和電源管理應用。由于其出色的熱性能和電氣性能，在便攜式電子設備如智能手機和平板電腦中廣泛應用。在實際應用中，需注意驅動電壓要足夠使MOSFET完全導通，以減少導通損耗。例如，在作為負載開關時，確?？刂菩盘柲軌蛱峁┳銐虻碾妷簛砜煽康亻_啟和關閉MOSFET。

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SIS402DN-T1-GE3
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