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SIR664DP-T1-GE3

更新時間:2025-05-24 02:38:13

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SIR664DP-T1-GE3 概述

SIR664DP-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道MOSFET，采用PowerPAK SO-8L封裝。它專為低電壓、高效率應用而設計，在4.5V柵源電壓下具有典型值為4.2mΩ的超低導通電阻，有助于降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率。該器件的最大漏源電壓（VDS）為30V，適用于負載開關、電源管理及DC-DC轉換器等應用場景。在電池供電設備中，如智能手機和平板電腦等便攜式電子產品里，它能有效管理電能分配，延長電池使用時間。由于其出色的熱性能和緊湊尺寸，也適合空間受限的設計要求。在實際應用時，需確保散熱良好，并根據具體電路需求選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度與EMI性能。

SIR664DP-T1-GE3 規(guī)格參數

品牌：Vishay Siliconix
描述：MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
包裝：1/剪切帶（CT）
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：60A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：40nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1750pF @ 30V
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

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廣東微爾科技有限公司

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SIR664DP-T1-GE3
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