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SIR432DP-T1-GE3

更新時間:2025-05-18 11:01:55

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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

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SIR432DP-T1-GE3 概述

SIR432DP-T1-GE3是一款采用表面貼裝的P溝道MOSFET，由Vishay公司生產。該器件的最大漏極-源極電壓為-40V，適用于低頻開關應用和線性放大器。其典型導通電阻較低，有助于減少功耗并提高效率。封裝形式為DPAK (TO-252)，便于自動化貼裝工藝，廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制等領域。在實際使用中，建議關注其最大電流能力及散熱設計，確保工作溫度范圍內的穩(wěn)定性。此型號適合用于電源管理電路中的開關元件或負載切換，在直流-直流轉換器等場景下也有良好表現(xiàn)。注意正確選擇柵極驅動電壓以保證可靠導通與關斷。

SIR432DP-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
28.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30.6 毫歐 @ 8.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1170pF @ 50V
功率 - 最大
54W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝
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包裝
帶卷 (TR)

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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