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SIR401DP-T1-GE3

更新時間:2025-06-11 13:26:20

供應(yīng)商
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數(shù)量
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封裝/批號
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SIR401DP-T1-GE3 概述

SIR401DP-T1-GE3是由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET，采用PowerPAK SO-8封裝，適合表面貼裝應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電源管理電路中的負載切換與電池保護等場景。典型應(yīng)用場景包括筆記本電腦、智能手機和平板電腦等便攜式設(shè)備的電源控制電路。在實際使用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低導(dǎo)通電阻，提高系統(tǒng)效率。設(shè)計時應(yīng)注意散熱處理，避免因過熱導(dǎo)致性能下降。在PCB布局時，盡量縮短源極和漏極引腳的走線長度，減小寄生電感影響，提升整體電路穩(wěn)定性。

SIR401DP-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

品牌：Vishay Siliconix
描述：MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
包裝：3000/標準卷帶
FET 類型：P 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：50A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.2 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：310nC @ 10V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9080pF @ 10V
功率耗散（最大值）：5W（Ta），39W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

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廣東微爾科技有限公司

SIR401DP-T1-GE3推薦型號

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SIR402DP-T1-GE3
SIR404DP
SIR406DP-T1-GE3
SIR414DP
SIR416DP
SIR416DP-T1-GE3
SIR418DP
STM32F103VBT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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