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SIHU5N50D-E3

更新時間:2025-07-09 23:28:01

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SIHU5N50D-E3 概述

SIHU5N50D-E3是由Vishay公司生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏極-源極電壓為500V，適合于高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括開關電源、適配器、LED驅動器和電動工具等。在這些應用中，它能夠提供高效的能量轉換并減少功耗。由于其優(yōu)異的熱性能和電氣特性，該MOSFET也常用于工業(yè)控制設備中。使用建議：在實際電路設計中，應確保柵極驅動電壓足夠高以保證完全開啟MOSFET，并注意散熱設計以維持工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，需優(yōu)化PCB布局以減小寄生電感和電容的影響。

SIHU5N50D-E3 規(guī)格參數

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
325pF @ 100V
功率 - 最大
104W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
TO-251AA
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SIHU5N50D-E3TR

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廣東微爾科技有限公司

SIHU5N50D-E3相關型號

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