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SIHP180N60E-GE3

更新時間:2025-05-25 00:34:38

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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市奧詩達電子有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市捷立輝科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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128000
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深圳市索歌特科技有限公司
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SIHP180N60E-GE3 概述

這是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該元件采用TO-263封裝形式，具有低導通電阻特性，在高效功率轉(zhuǎn)換應用中表現(xiàn)出色。其耐壓值為600V，適合高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括開關電源、電機驅(qū)動和不間斷電源系統(tǒng)等。在電機驅(qū)動電路中使用時，需注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作。對于開關電源應用，建議根據(jù)實際功率需求合理選擇柵極驅(qū)動電阻，以優(yōu)化開關速度并減少損耗。此型號憑借其良好的電氣特性和可靠性，成為高要求功率應用中的優(yōu)選器件。

SIHP180N60E-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
E
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
19A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1085 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

SIHP180N60E-GE3推薦型號

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SIHP12N50C-E3
SIHP12N60E
SIHP12N60E-E3
SIHP15N65E
SIHP18N50C
SIHP18N50C-E3
SIHP22N60E
STM32F103C8T6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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