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SIHG70N60EF-GE3

更新時間:2025-05-30 05:26:06

供應商
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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一手工廠庫存，貨穩(wěn)/價低/快速

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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一級總代理商原廠原裝大批量現(xiàn)貨一站式服務

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房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

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原裝現(xiàn)貨

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只做原裝有貨

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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百分百原裝，有掛有貨，假一賠十

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原廠原裝，假一罰萬，合作共贏

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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-

深圳市金銳力科技有限公司
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中研正芯（深圳）電子科技有限
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SIHG70N60EF-GE3 概述

SIHG70N60EF-GE3是由Vishay公司生產(chǎn)的高性能MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達70A，在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)和消費類電子設備的開關電源設計中。在實際應用中，由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，建議在設計時充分考慮散熱管理，以確保器件能夠在額定功率下長期可靠工作。對于高頻應用，注意合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度與EMI之間的平衡。電路設計時應遵循制造商提供的推薦布局指南，以減少寄生電感和電容對電路性能的影響。

SIHG70N60EF-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
70A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
38 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
380 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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SIHG20N50C-E3
SIHG22N60E
SIHG22N60E-E3
SIHG22N60E-GE3
S9013

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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