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SIHG64N65E-GE3

更新時間:2025-08-01 16:19:53

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深圳市誠研翔科技有限公司
SIHG64N65E-GE3
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市言信微科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿易有限公司
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回收此型號SIHG64N65E-GE3

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深圳市譽輝天成電子有限公司
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SIHG64N65E-GE3 概述

SIHG64N65E-GE3是Vishay公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具備650V的漏源電壓（VDSS）和64A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率，適用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器及高頻DC-DC轉換器等應用場合。此外，該MOSFET還具有快速開關特性，可以降低開關損耗并提升整體性能，在設計中需注意散熱設計以確保器件在高負載條件下的穩(wěn)定運行。

SIHG64N65E-GE3 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
64A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
47 毫歐 @ 32A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
369 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
7497 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

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SIHG22N60E-GE3
SS12

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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