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SIA459EDJ-T1-GE3

更新時間:2025-07-03 11:09:03

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深圳市粵東誠信電子有限公司
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SIA459EDJ-T1-GE3 概述

SIA459EDJ-T1-GE3是由Vishay公司生產的P溝道MOSFET。該器件采用小型的TSOP-6封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高密度設計需求。其最大漏源電壓為-20V，連續(xù)漏極電流可達-4.2A，非常適合用于便攜式設備中的負載開關、電源管理以及電池保護電路。在實際應用中，SIA459EDJ-T1-GE3常被用于智能手機和平板電腦等消費類電子產品中，作為高效能的功率控制元件。使用時需要注意，由于是P溝道MOSFET，在驅動電路設計上需要保證柵極相對于源極為負電壓才能有效開啟。此外，在PCB布局時應盡量縮短源極與漏極之間的走線長度以減少寄生電感影響。對于高頻應用，還需考慮適當?shù)娜ヱ铍娙菖渲靡源_保穩(wěn)定工作。

SIA459EDJ-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,963現(xiàn)貨
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
35 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
885 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.9W（Ta），15.6W（Tc）
工作溫度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SC-70-6
封裝/外殼
PowerPAK? SC-70-6

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廣東微爾科技有限公司

SIA459EDJ-T1-GE3相關型號

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SIA459EDJ-T1-GE3
SIA400EDJ-T1-GE3
SIA411DJ-T1-E3
SIA413DJ-T1-GE3
SIA413DJ-T4-GE3
SIA414DJ-T1-GE3
SIA415DJ-T1-GE3
SK54

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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