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SI9958DY

更新時間:2025-05-28 01:42:05

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SI9958DY 概述

SI9958DY是Vishay公司生產(chǎn)的一款雙N溝道MOSFET器件，采用SO-8封裝，適用于中低壓應用。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負載開關(guān)等功率管理電路中。其低柵極電荷使得驅(qū)動變得簡單高效，可以顯著降低開關(guān)損耗，提高整體效率。在筆記本電腦、手機充電器和其他便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。使用時應注意散熱設(shè)計，避免長時間工作在高溫環(huán)境下導致性能下降或損壞。典型應用電路包括同步降壓變換器，在此電路中需確保柵極驅(qū)動信號足夠強以保證MOSFET完全導通。

SI9958DY 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N and P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
3.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.1 Ohms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
下降時間
9 ns, 11 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
12 ns
工廠包裝數(shù)量
100
典型關(guān)閉延遲時間
17 ns, 12 ns

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