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SI9945AEY-T1

更新時間:2025-06-26 07:08:51

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SI9945AEY-T1 概述

SI9945AEY-T1是由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它采用TrenchFET技術，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻僅為20mΩ。其封裝形式為TSOP-6，這種封裝尺寸較小，適合高密度電路板設計。該器件適用于多種應用場合，如負載開關、電源管理以及電池保護等便攜式設備領域。在實際應用中，當用作負載開關時，要注意合理設計柵極驅動電路以確保MOSFET可靠開啟和關斷，避免出現(xiàn)異常發(fā)熱或者無法正常導通的情況。如果將其用于電池保護電路，要充分考慮其漏電流對電池續(xù)航的影響，通常需要與其他保護元件如保險絲配合使用以提高安全性。

SI9945AEY-T1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
2.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
Q4552539A

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SR2100

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