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SI8499DB-T2-E1

更新時間:2025-05-16 01:58:03

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SI8499DB-T2-E1 概述

SI8499DB-T2-E1是由Vishay公司生產(chǎn)的雙路N溝道MOSFET。該器件采用小型SOP-8封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電源管理應用。其低柵極電荷使得在驅(qū)動時功耗更低，適合電池供電設(shè)備使用。在實際應用中，常用于筆記本電腦、智能手機等便攜式電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中。設(shè)計電路時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓，確保MOSFET完全導通。此外，在進行PCB布局時，應盡量縮短源極和漏極引腳之間的走線長度以減少寄生電感影響。若需并聯(lián)使用多個MOSFET，要保證每個器件的驅(qū)動電壓一致，避免電流分配不均。

SI8499DB-T2-E1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
- 20 V
閘/源擊穿電壓
12 V
漏極連續(xù)電流
- 7.8 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.026 Ohms at - 4.5 V
配置
Single
最大工作溫度
+ 125 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
Micro Foot-6
封裝
Reel
下降時間
30 nS
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
10 S
柵極電荷 Qg
20 nC
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2.77 W
上升時間
10 nS
典型關(guān)閉延遲時間
55 nS

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廣東微爾科技有限公司

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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