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SI8410DB-T2-E1

更新時間:2025-06-11 13:07:51

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SI8410DB-T2-E1 概述

SI8410DB-T2-E1是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該MOSFET采用小型SOT-23封裝，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和快速開關的應用場景。其低導通電阻特性有助于減少傳導損耗，提高整體系統(tǒng)效率。由于其出色的熱性能和電氣性能，常被應用于負載開關、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器中。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，可用于優(yōu)化電池供電電路的設計。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET充分開啟，同時要考慮散熱設計以維持長期穩(wěn)定工作。

SI8410DB-T2-E1 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
37 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780mW（Ta），1.8W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
4-Micro Foot（1x1）
封裝/外殼
4-UFBGA

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廣東微爾科技有限公司

SI8410DB-T2-E1推薦型號

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SI8400AA
SI8400AA-A-IS
SI8400AA-B-IS
SI8400AB
SI8400AB-A-IS
SI8400AB-B-IS
STPS3045CW

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