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SI7892BDP-T1-GE3

更新時間:2025-05-25 22:29:50

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SI7892BDP-T1-GE3 概述

SI7892BDP-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用PowerPAK SO-8封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為30V，適合于低壓電源管理電路。典型應用場景包括負載開關、電池保護、直流-直流轉換器以及適配器等便攜式設備中。在實際應用中，由于其低柵極電荷，可以實現(xiàn)較低的開關損耗，提高整體系統(tǒng)效率。設計時應注意確保柵極驅動電壓足夠以保證MOSFET完全導通，并且布局時盡量減小寄生電感以避免振蕩。對于高頻率應用，需特別關注散熱設計，因為高頻工作下功耗會增加，可能導致溫度上升。

SI7892BDP-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3775pF @ 15V
功率 - 最大
1.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI7892BDP-T1-GE3TR

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SS8550

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