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SI7655ADN-T1-GE3

更新時間:2025-06-08 03:23:34

供應商
產品型號
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數(shù)量
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說明
詢價

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專做MOS/ESD靜電二三極管進口替代和技術支持

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只做原裝，可提供技術支持及配單服務

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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PowerPAK 12128S/25+
提供BOM一站式配單服務

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

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云漢時代半導體(深圳）有限公
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深圳市中納芯電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，提供配單服務

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10000
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科大訊飛戰(zhàn)略投資企業(yè)，提供一站式配套服務

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128000
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DFN33/23+
全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

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一級供應商十三年品牌專營

深圳市思佳捷科技有限公司
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21000
SIX
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誠信20載。交易網(wǎng)ISSCP會員

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

深圳市馳源科技有限公司
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4000
TSSOP
VISHAY/22+
只做原裝，提供一站式配單

深圳市泰佳興電子有限公司
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41001
Vishay(威世)
PowerPAK 12128S/24+
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務

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SI7655ADN-T1-GE3 概述

SI7655ADN-T1-GE3是由Vishay公司生產的N溝道增強型MOSFET。該器件采用SO-8封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器等功率管理應用。其柵極電荷較低，有助于減少驅動損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在同步整流電路中表現(xiàn)出色，能夠有效降低功耗并提升熱性能。此外，它也適合用于電機驅動和其他需要高效功率控制的場合。設計時應注意合理的PCB布局以優(yōu)化散熱效果，并確保驅動電壓符合規(guī)格要求以保證可靠工作。

SI7655ADN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
42,870現(xiàn)貨
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.6 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6600 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.8W（Ta），57W（Tc）
工作溫度
-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8S
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

SI7655ADN-T1-GE3相關型號

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SI7600
SI7601DN-T1-E3
SI7611DN
SI7611DN-T1-GE3
SI7613DN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3
SI7615DN
SJA1000T

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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