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SI7309DN-T1-GE3

更新時間:2025-07-05 23:57:15

供應商
產品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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假一賠十只做進口原裝現(xiàn)貨

深圳市藍軍科技有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

深圳市華芯源電子有限公司
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18萬條庫存，一站式配齊

深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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VSIAH
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只做原裝，BOM表配單

深圳市錦泰世紀電子有限公司
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QFP/18+
長期回收此型號/回收庫存料

深圳市亨運電子有限公司
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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2000
VISHAY
PPAK12128/-
原裝原盤原盒可追溯

深圳市華鴻芯科技有限公司
SI7309DN-T1-GE3
6740
VISHAY
PPAK12128/23+
只做原裝

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SI7309DN-T1-GE3 概述

SI7309DN-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于電源管理應用中。典型應用場景包括負載開關、電池保護電路以及DC-DC轉換器。在負載開關應用中，其低Rds(on)值可以減小導通損耗，提高整體效率。當用于電池保護電路時，能夠快速響應過流或短路情況，保護下游電路不受損壞。對于DC-DC轉換器設計，這款MOSFET的快速開關速度有助于減少開關損耗，提升轉換效率。使用建議：由于其最大漏極電流可達5.3A，在實際設計中應注意PCB布局以確保良好散熱。同時，柵極驅動電壓應保持在推薦范圍內，避免超出最大額定值導致器件損壞。在高頻應用中，需特別關注柵極電荷對開關性能的影響。

SI7309DN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 3.9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
600pF @ 30V
功率 - 最大
19.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝
PowerPAK? 1212-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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