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SI7309DN-T1-E3

更新時間:2025-07-07 06:43:17

供應商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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SI7309DN-T1-E3 概述

SI7309DN-T1-E3是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用DPAK封裝形式。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵源電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為25mΩ，這有助于減少導通損耗，提高電路效率。此款MOSFET適用于多種應用場景，如直流 - 直流轉換器、負載開關等電源管理電路中。在實際應用時，需注意其最大漏源電壓為30V，最大連續(xù)漏極電流為6A的限制條件，以確保器件正常工作。例如在設計一個降壓型DC - DC轉換器時，可以將其作為功率開關管使用，但要合理布局PCB走線以減小寄生電感對開關性能的影響，并且根據(jù)具體的工作頻率選擇合適的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關速度。

SI7309DN-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI7309DN
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
115 毫歐 @ 3.9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
600pF @ 30V
功率 - 最大
19.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝
PowerPAK? 1212-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI7309DN-T1-E3TR

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SI7309DN
SI7321M
SI2302DS

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