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SI7172ADP-T1-RE3

更新時間:2025-06-09 06:52:32

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SI7172ADP-T1-RE3 概述

SI7172ADP-T1-RE3是Vishay公司生產的一款雙N溝道MOSFET，采用PowerPAK SC-70封裝。該MOSFET專為低電壓、高密度應用設計，如智能手機和平板電腦中的負載開關和電源管理等場景。其柵極電荷(Qg)較低，這有助于提高開關速度并降低驅動損耗。同時，具有低導通電阻(RDS(on))特性，在節(jié)省能源的同時能提供可靠的工作性能。在便攜式設備中，它能夠有效管理電池供電系統(tǒng)的功耗，延長封裝尺寸，非常適合對空間要求苛刻的應用場合。在實際使用時，應注意正確選擇柵極驅動電壓以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，并且在電路布局上要盡量減小寄生電感以防止電壓尖峰影響器件可靠性。

SI7172ADP-T1-RE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5.3A（Ta），17.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
50 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1110 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-55°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8

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廣東微爾科技有限公司

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SI7102DN-T1-GE3
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SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-GE3
SI7107DN-T1-E3
S9013

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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