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SI7108DN-T1-E3

更新時間:2025-07-13 05:38:07

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
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封裝/批號
說明
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

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SI7108DN-T1-E3 概述

SI7108DN-T1-E3是由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，適合表面貼裝應(yīng)用。此款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于降低電路功耗并提高效率。在電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色，如DC - DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)等。它也可用于電機驅(qū)動控制電路，為各種消費類電子設(shè)備提供高效穩(wěn)定的功率控制解決方案。在實際使用時，需注意其最大電壓、電流額定值，避免超過極限參數(shù)導(dǎo)致器件損壞。例如，在設(shè)計一個降壓轉(zhuǎn)換器時，要確保輸入電壓范圍、輸出負載電流都在該MOSFET可承受范圍內(nèi)，并且合理設(shè)計PCB布局以優(yōu)化散熱性能。

SI7108DN-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI7108DN
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.9 毫歐 @ 22A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? 1212-8
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI7108DN-T1-E3TR

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SI7102DN-T1-GE3
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SI7106DN
SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-GE3
S8550

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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