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SI7101DN-T1-GE3

更新時間:2025-05-24 10:27:19

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市南烽電子有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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可查官網https//www.icscjh.com/

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市岳泰達電子有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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一站式配單 QQ報價

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上海祥增電子科技有限公司
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只做原裝正品，假一罰十，大量現(xiàn)貨，特價銷售

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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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只做原廠原裝假一罰十可含稅

深圳市亨運電子有限公司
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深圳市偉芯源電子科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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原裝現(xiàn)貨

深圳市晶美隆科技有限公司
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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SI7101DN-T1-GE3 概述

SI7101DN-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效的電源管理應用。它可在-55°C至+175°C的溫度范圍內正常工作，非常適合用于直流-直流轉換器、負載開關以及電池供電設備中的功率調節(jié)電路。在便攜式電子設備如智能手機和平板電腦中，此MOSFET可以有效提升能效，減少熱量產生并延長電池續(xù)航時間。設計時應注意遵循標準的PCB布局原則以優(yōu)化散熱性能并確保穩(wěn)定工作。

SI7101DN-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
15,956現(xiàn)貨
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
7.2 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3595 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），52W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK? 1212-8

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廣東微爾科技有限公司

SI7101DN-T1-GE3相關型號

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SI7106DN-T1-E3
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SS8550

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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