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SI6913DQ-T1-GE3

更新時間:2025-05-19 04:47:30

供應商
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
SI6913DQ-T1-GE3
1
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N/A/25+
回收此型號SI6913DQ-T1-GE3

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SI6913DQ-T1-GE3 概述

SI6913DQ-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET，采用TSSOP-8封裝。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為-20V，適用于低功率直流到直流轉換器和負載開關應用。其超低的導通電阻(RDS(on))有助于減少傳導損耗并提高效率，在便攜式設備中表現(xiàn)尤為出色。典型的應用場景包括智能手機、平板電腦等需要高效電源管理的消費類電子產(chǎn)品。由于其小尺寸封裝和優(yōu)異的電氣性能，它也適合集成到空間受限的設計當中。在使用時應注意不超過最大額定值，并確保適當?shù)纳嵩O計以維持長期可靠性。

SI6913DQ-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
21 毫歐 @ 5.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
900mV @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
830mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝
8-TSSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI6913DQ-T1-GE3TR

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SI6913DQ-T1-GE3
SI6913
SI6913DQ
SI6913DQ-T1-E3
SI6923
SI6923DQ
SI6923DQ-T1
STM32F103VBT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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