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SI5853DC-T1-E3

更新時間:2025-07-04 02:31:42

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市興聯(lián)達(dá)電子有限公司
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只做原裝支持實單/長期高價回收手機(jī)料庫存

瀚佳科技（深圳）有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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深圳市特立芯科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務(wù)

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原裝現(xiàn)貨，配單能手

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別劃了，只做原裝，有貨的

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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中杰盛科技有限公司
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大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務(wù)

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原裝現(xiàn)貨

深圳市中元偉業(yè)電子商行
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深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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原裝正品,亞太區(qū)電子元器件分銷商

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進(jìn)口原裝貨特價，歡迎來電訂購

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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深圳市宏世佳電子科技有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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SI5853DC-T1-E3 概述

SI5853DC-T1-E3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。它采用小型的SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為30V，在柵源電壓(VGS)為4.5V時，連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)2.8A。其典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、電源管理以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等電路中。在電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。使用時需要注意避免超過最大額定值，并且在PCB布局上要保證良好的散熱性能以確保穩(wěn)定工作。

SI5853DC-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI5853DC
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
110 毫歐 @ 2.7A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝
1206-8 ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI5853DC-T1-E3TR

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SI5853DC-T1-E3
SI5853
SI5853CDC-T1-E3
SI5853DC
SI5853DC-T1
SI5853DC-TI-E3
SI5853DDC
SRV05-4

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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