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SI4894DY-T1-E3

更新時間:2025-07-04 02:52:17

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SI4894DY-T1-E3 概述

SI4894DY-T1-E3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用SO-8封裝形式。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時，最大導(dǎo)通電阻僅為3.5mΩ。其漏極 - 源極擊穿電壓可達30V，連續(xù)漏極電流最高可達到100A（在25℃環(huán)境溫度下）。它適用于高效的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器以及同步整流應(yīng)用等場景。由于其優(yōu)秀的電氣性能，可以有效降低電路功耗并提高電源轉(zhuǎn)換效率，適合在緊湊型電子設(shè)備中使用。在實際應(yīng)用中，需確保正確的驅(qū)動電壓以保證最佳的導(dǎo)通性能，并注意散熱設(shè)計以維持器件穩(wěn)定工作。

SI4894DY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
12.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
12 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
封裝
Reel
下降時間
5 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.4 W
上升時間
5 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
TrenchFET
典型關(guān)閉延遲時間
30 ns
零件號別名
SI4894DY-E3

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SI4800
SI4800B
SI4800BDY
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SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-GE3
SMBJ6.0CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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