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SI4886DY-T1-E3

更新時間:2025-05-17 08:58:43

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市奧利騰科技有限公司
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綠盛電子(香港)有限公司
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深圳市英特瑞斯電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市科芯源微電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市宇集芯電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市西昂特科技有限公司
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全新原裝進口現(xiàn)貨，假一罰十，歡迎詢價。

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深圳市永貝爾半導(dǎo)體有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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深圳市集創(chuàng)訊科技有限公司
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應(yīng)，價格優(yōu)勢。

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SI4886DY-T1-E3 概述

SI4886DY-T1-E3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用SO-8封裝形式。它專為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計，在柵極 - 源極電壓為10V時，其最大導(dǎo)通電阻低至2.5mΩ，這有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。該MOSFET的最大漏極 - 源極電壓（VDSS）為60V，適合于各種中低壓應(yīng)用場合。在應(yīng)用場景方面，SI4886DY-T1-E3廣泛應(yīng)用于直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等需要高效功率管理的領(lǐng)域。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計良好，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。在電路設(shè)計中，可將其與合適的控制IC配合使用來構(gòu)建完整的電源轉(zhuǎn)換電路。

SI4886DY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 13A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.56W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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SI4800
SI4800B
SI4800BDY
SI4800BDY-T
SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-GE3
SS36

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