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SI4874DY-T1

更新時間:2025-05-27 06:27:04

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SI4874DY-T1 概述

SI4874DY-T1是由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用SO-8封裝，適用于高密度表面貼裝應用。這款MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，使其在電源管理電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電池充電器以及同步整流電路等。其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，使得它能夠在緊湊的設計中提供高效的功率控制。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓要足夠以確保MOSFET完全導通。設計PCB時應考慮良好的散熱措施，并遵循制造商推薦的焊盤布局以保證焊接質量。對于需要并聯(lián)使用的場合，要確保每個器件的參數(shù)匹配良好，避免電流分配不均。

SI4874DY-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
15 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
7.5 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
封裝
Reel
下降時間
43 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
3.1 W
上升時間
16 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
120 ns

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SI4800
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SI4800BDY
SI4800BDY-T
SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-GE3
STM8S005K6T6C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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