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SI4840DY-T1-E3

更新時間:2025-06-12 15:23:25

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SI4840DY-T1-E3 概述

SI4840DY-T1-E3是Vishay公司生產的一款N溝道MOSFET。它采用SO-8封裝，適合表面貼裝應用。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時典型值僅為4.5mΩ，這有助于降低導通損耗。其最大漏極 - 源極電壓(VDS)可達30V，連續(xù)漏極電流(ID)最高為60A，適用于高效直流 - 直流轉換器、負載點(POL)轉換器以及電池管理等應用。在電源管理和電機驅動電路中表現(xiàn)出色，由于其快速開關特性和低柵極電荷，可以實現(xiàn)高頻操作，從而減小外部元件尺寸并提高功率密度。使用時需注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作。

SI4840DY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI4840DY
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫歐 @ 14A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.56W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI4840DY-T1-E3TR

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