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SI4833DY-T1

更新時間:2025-06-25 00:07:38

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務(wù)
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市華美銳電子有限公司
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

深圳市顥天電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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原裝正品,配單能手

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只做原裝正品，假一罰十，大量現(xiàn)貨，特價銷售

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深圳市譽輝天成電子有限公司
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SI4833DY-T1 概述

SI4833DY-T1是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用SO-8封裝形式。該器件適用于中低壓應(yīng)用場合，具有低導(dǎo)通電阻和柵極電荷的特點，有助于減少導(dǎo)通損耗并提高開關(guān)速度。其最大漏源電壓為30V，適用于同步整流、負載點轉(zhuǎn)換器以及POL（point-of-load）穩(wěn)壓器等應(yīng)用場景。由于其良好的熱特性和電氣性能，可在緊湊空間內(nèi)實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。在實際應(yīng)用中，需注意驅(qū)動電路的設(shè)計以確保MOSFET充分開啟與關(guān)閉，避免因柵極電壓不足導(dǎo)致的性能下降或損壞。此外，在PCB布局時應(yīng)盡量減小源極和漏極走線的寄生電感，以優(yōu)化高頻性能。

SI4833DY-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
3.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
85 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
封裝
Reel
下降時間
8 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
9 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
Little Foot Plus
典型關(guān)閉延遲時間
14 ns

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SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-GE3
SS23

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