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SI4800DY

更新時間:2025-07-07 01:26:59

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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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SI4800DY 概述

SI4800DY是Vishay公司生產的一款雙N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點，適用于多種功率管理應用。這款MOSFET通常用于開關電源、負載開關和電機驅動等需要高效電能轉換的場合。其低柵極電荷特性使得它在高頻開關應用中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關損耗并提高整體效率。此外，其增強的雪崩耐量可以提供額外的安全裕度，在瞬態(tài)過載情況下更加可靠。在實際應用中，建議關注PCB布局以優(yōu)化熱性能，確保源極焊盤有良好的散熱路徑。對于高速開關應用，應仔細選擇柵極驅動電阻值以控制開關速度并減少EMI干擾。當用作同步整流器時，需注意上下管之間的死區(qū)時間設置以避免直通風險。

SI4800DY 規(guī)格參數

制造商
Vishay
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 25 V
漏極連續(xù)電流
9 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
18.5 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8 Narrow
下降時間
9 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2.5 W
上升時間
8 ns
工廠包裝數量
100
典型關閉延遲時間
22 ns

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