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SI4466DY-T1

更新時間:2025-07-08 12:51:37

供應商
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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SI4466DY-T1 概述

SI4466DY-T1是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用TrenchFET技術，具有低導通電阻和高效率的特點。其封裝形式為SO-8，適合緊湊型電路設計需求。該款MOSFET適用于多種應用場合，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關等功率管理領域。在電池供電設備中也能發(fā)揮優(yōu)勢，有助于延長電池使用壽命并提高系統(tǒng)整體性能。在實際應用時，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET完全導通，減少不必要的損耗。例如，在一個降壓轉(zhuǎn)換器電路中，可將此MOSFET作為控制開關，搭配合適的電感、電容及控制芯片構(gòu)建完整電路，要注意布局布線以降低寄生參數(shù)影響。

SI4466DY-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
9.5 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
9 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
封裝
Reel
下降時間
15 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.5 W
上升時間
15 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
150 ns

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SI4401B
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SI4401BDY-T1-E3
SR540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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