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SI4464DY-T1-GE3

更新時間:2025-05-25 19:43:17

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SI4464DY-T1-GE3 概述

SI4464DY-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（VDS）為40V，在10V柵源電壓下的典型導通電阻（RDS(on)）僅為20mΩ，適合用于高效功率轉換電路。該MOSFET廣泛應用于DC-DC轉換器、負載開關和電池管理等場景。其優(yōu)異的導電性能使得它在電源管理應用中表現(xiàn)出色，特別是在需要高效率和緊湊設計的情況下。由于其低柵極電荷（Qg），可以實現(xiàn)更快的開關速度，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，需注意確保適當的散熱措施以維持長期可靠運行。

SI4464DY-T1-GE3 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
240 毫歐 @ 2.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI4464DY-T1-GE3TR

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