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SI4463DY-T1

更新時間:2025-06-12 15:26:58

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SI4463DY-T1 概述

SI4463DY-T1是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用DPAK封裝形式。該器件適用于高頻開關(guān)應用，具有低導通電阻和低柵極電荷特性。其最大漏源電壓（VDS）為30V，在室溫下連續(xù)漏極電流（ID）可達24A。由于其優(yōu)良的開關(guān)性能，SI4463DY-T1廣泛應用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電源管理模塊等場合。在電路設(shè)計中，應確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證MOSFET完全開啟，并注意散熱設(shè)計以防止過熱損壞。在PCB布局時，盡量縮短源極與地之間的連線長度，減少寄生電感對電路性能的影響。當用于同步整流電路時，需精確控制死區(qū)時間，避免上下管直通造成短路。

SI4463DY-T1 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
9 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
14 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
封裝
Reel
下降時間
45 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.5 W
上升時間
45 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時間
160 ns

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SI4463DY-T1-E3
SI4400
SI4401
SI4401B
SI4401BDY
SI4401BDY-T1-E3
SS23

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