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SI4401DY

更新時間:2025-06-14 13:52:09

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SI4401DY 概述

SI4401DY是一款由Vishay公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET，采用SO-8封裝形式。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。基礎描述方面，SI4401DY的最大漏源電壓為30V，在25°C時的連續(xù)漏極電流可達8A。其柵極電荷較低，有助于提高開關速度并降低驅動損耗，特別適合高頻操作場合。此外，這款MOSFET還具備良好的熱穩(wěn)定性，能夠在較高的環(huán)境溫度下穩(wěn)定工作。在應用場景上，SI4401DY常用于DC-DC轉換器、負載開關、電機驅動以及電源管理模塊中。例如，在筆記本電腦和平板電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)里，它能夠有效提升能效比，減少發(fā)熱。使用時應注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱，并確保驅動電路能夠提供足夠的柵極電壓來充分開啟MOSFET。

SI4401DY 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
40 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
8.7 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
15.5 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SO-8
封裝
Tube
下降時間
18 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.5 W
上升時間
18 ns
工廠包裝數(shù)量
100
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
122 ns

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