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SI4340DY-T1-E3

更新時間:2025-06-18 17:15:23

供應(yīng)商
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服務(wù)標(biāo)識
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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SI4340DY-T1-E3 概述

SI4340DY-T1-E3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，適合表面貼裝應(yīng)用。其最大漏源電壓（VDS）為-40V，在25°C時的連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)-6.8A。它具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），有助于減少功率損耗，提高能效。此MOSFET適用于各種電路中，如負(fù)載開關(guān)、電源管理以及電機(jī)控制等應(yīng)用。在電池供電設(shè)備中，由于其較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，可以有效延長電池使用壽命并提升系統(tǒng)效率。使用時需注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確保完全開啟MOSFET，并且要考慮散熱設(shè)計以防止過熱損壞。在實際電路設(shè)計中，應(yīng)根據(jù)具體需求合理布局PCB走線，減小寄生電感對開關(guān)性能的影響。

SI4340DY-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI4340DY
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.3A，9.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 9.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.14W，1.43W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
14-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI4340DY-T1-E3TR

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