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SI3948DV-T1-E3

更新時間:2025-07-06 03:41:37

供應商
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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進品原裝，現(xiàn)貨庫存可開17%增值票

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原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務

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12000
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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回收此型號Si3948DV-T1-E3

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80000
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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只做原裝特價清倉一手貨源代理渠道胡經理

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SI3948DV-T1-E3 概述

SI3948DV-T1-E3是Vishay公司生產的一款P溝道MOSFET。該MOSFET采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下典型值為0.026Ω，這有助于降低導通損耗。其最大漏極-源極電壓(VDS)為-30V，適合于中低壓應用場合。該器件適用于負載開關、電源管理以及電池保護等電路中。例如在手持設備和便攜式電子設備里可作為高效能的電源開關使用。由于其快速的開關速度和良好的熱性能，也常被應用于DC-DC轉換器等需要高效電能轉換的場景。使用時應注意根據實際工作電流合理選擇散熱方式以確保器件穩(wěn)定工作。

SI3948DV-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據列表
SI3948DV
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
TrenchFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫歐 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.15W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI3948DV-T1-E3TR

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