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SI3588DV-T1

更新時間:2025-06-12 15:12:48

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市港博科電子有限公司
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深圳市宏世佳電子科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝，配單能手

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現貨，可看貨可提供拍照

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深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝，可回收IC,尋求渠道合作

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原裝，原廠渠道，十年BOM配單專家

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深圳市永貝爾半導體有限公司
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只做原裝更多數量在途訂單

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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5000
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優(yōu)勢渠道現貨,提供一站式配單服務

深圳市盈熙微科技有限公司
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5480
VISHAY
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深圳市奧利騰科技有限公司
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奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

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SI3588DV-T1 概述

SI3588DV-T1是Vishay公司生產的一款高速低功耗CMOS模擬開關。該器件采用單電源供電，工作電壓范圍為1.8V至5.5V，適合電池供電設備使用。它具有超低導通電阻和極低的漏電流特性，確保信號完整性高。此開關支持雙向傳輸，能夠處理從直流到至少100MHz的信號頻率，適用于音頻、視頻以及數據通信等多種信號切換應用。此外，其封裝形式為TSSOP-8，有助于節(jié)省電路板空間，在便攜式消費電子產品中廣泛應用。在設計時應注意控制引腳的驅動能力以匹配前級電路輸出，同時合理布局PCB減少噪聲干擾。

SI3588DV-T1 規(guī)格參數

制造商
Vishay
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N and P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
+/- 20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 8 V
漏極連續(xù)電流
2.5 A, 0.57 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.08 Ohms, 0.145 Ohms
配置
Dual
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-6
封裝
Reel
下降時間
30 ns at N Channel, 29 ns at P Channel
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
830 mW
上升時間
30 ns at N Channel, 29 ns at P Channel
工廠包裝數量
3000
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
28 ns at N Channel, 24 ns at P Channel

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