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SI3446DV-T1-E3

更新時間:2025-06-13 11:35:48

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SI3446DV-T1-E3 概述

SI3446DV-T1-E3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時，典型導通電阻僅為20mΩ。其最大漏源電壓（VDS）可達-60V，適用于各類開關應用。在電源管理電路中表現(xiàn)卓越，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器等。由于其快速的開關速度和低柵極電荷，有助于提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。在電機驅(qū)動應用中也能發(fā)揮良好性能，需要注意的是，在使用時應確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證MOSFET完全導通，避免因部分導通導致過熱損壞。

SI3446DV-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
5.3 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.045 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-6
封裝
Reel
下降時間
35 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
2 W
上升時間
50 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
商標名
TrenchFET
典型關閉延遲時間
65 ns
零件號別名
SI3446DV-E3

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SI3400GM-EX8
SI3401
SI3401DS-T1
SMBJ33A

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