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SI3430DV-T1-GE3

更新時間:2025-07-03 13:54:42

供應商
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說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳市中元偉業(yè)電子商行
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原裝庫存可供現(xiàn)貨90K

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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全新原裝詢價聯(lián)系QQ420045561

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深圳市福啟達科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市宏世佳電子科技有限公司
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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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一級代理現(xiàn)貨保證進口原裝假一罰十價格合理

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市昌和盛利電子有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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國內庫存，原裝現(xiàn)貨/特賣價

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深圳市南科功率半導體有限公司
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上海祥增電子科技有限公司
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深圳市科圳威電子有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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進口原裝現(xiàn)貨假一賠十

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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回收此型號，工廠呆料處理

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SI3430DV-T1-GE3 概述

SI3430DV-T1-GE3是Vishay公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET適用于高頻DC-DC轉換器、負載開關以及電源管理應用。其最大漏源電壓（VDS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時可達16A。由于其出色的導電性能，在需要高效功率轉換的電路中表現(xiàn)出色，例如手機、筆記本電腦等便攜式設備的電源管理系統(tǒng)。在實際應用中需注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作，并遵循推薦的驅動電壓范圍來保證最佳性能。

SI3430DV-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI3430DV
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
170 毫歐 @ 2.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.14W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI3430DV-T1-GE3TR

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

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