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SI2324DS-T1-GE3

更新時間:2025-07-04 04:15:33

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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SI2324DS-T1-GE3 概述

SI2324DS-T1-GE3是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用D-SO-8封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵源電壓下典型值為20mΩ。其最大漏極電流可達6A，適用于高頻DC-DC轉換器、負載開關和電源管理等應用。由于其良好的熱穩(wěn)定性和快速開關性能，它在便攜式設備如手機和平板電腦中廣泛用作電源管理元件。此外，該MOSFET還具備高擊穿電壓和低柵極電荷，有助于降低驅動損耗并提高系統(tǒng)效率。在實際應用中，設計者應注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱良好以保證器件可靠工作。

SI2324DS-T1-GE3 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
61,813現(xiàn)貨
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
2.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
234 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.9V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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廣東微爾科技有限公司

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SI2324DS-T1-GE3
SI2300
SI2300BDS-T1-E3
SI2300DS
SI2300DS-T1-E3
SI2300DS-T1-GE3
SI2301
SS24

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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