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SI2309DS-T1-E3

更新時間:2025-06-12 01:54:46

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

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SI2309DS-T1-E3 概述

SI2309DS-T1-E3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。它采用先進的PowerPAK SC-75封裝，具有極低的導通電阻和柵極電荷，使其在小尺寸應用中表現(xiàn)出色。該MOSFET的最大漏源電壓（VDS）為-30V，連續(xù)漏極電流（ID）可達-4.2A（在25°C條件下）。其典型應用包括電池管理、負載開關、電動工具以及便攜式設備中的電源管理電路。由于其低功耗特性和緊湊的設計，非常適合需要高效能和節(jié)省空間的消費電子產(chǎn)品中使用。在實際應用中，建議關注散熱設計以確保最佳性能，并且在PCB布局時盡量縮短源極和柵極引線長度來減少噪聲干擾。

SI2309DS-T1-E3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI2309DS
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
340 毫歐 @ 1.25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI2309DS-T1-E3TR

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