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SI2306BDS-T1-GE3

更新時間:2025-05-15 19:29:57

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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專營貼片二三極管橋堆原裝現(xiàn)貨特價拋售

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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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百分百原裝，有掛有貨，假一賠十

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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，支持bom表配單

深圳市米數(shù)科技有限公司
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Vishay(威世)
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只做原裝，價格市場

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SI2306BDS-T1-GE3 概述

SI2306BDS-T1-GE3是Vishay公司生產的一款P溝道MOSFET。該器件采用先進的PowerPAK SC-70封裝，具有低導通電阻和小尺寸的特點，適用于空間受限的應用場景。其最大漏源電壓(VDS)為-8V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達-2.6A。由于其出色的性能，它廣泛應用于負載開關、電源管理以及便攜式設備如智能手機和平板電腦中的DC-DC轉換器。在實際應用中，設計者應注意正確選擇柵極驅動電壓以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，并且要充分考慮散熱問題以保證器件的可靠性。

SI2306BDS-T1-GE3 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
47 毫歐 @ 3.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4.5nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
305pF @ 15V
功率 - 最大
750mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SI2306BDS-T1-GE3TR

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SI2306BDS-T1-GE3
SI2300
SI2300BDS-T1-E3
SI2300DS
SI2300DS-T1-E3
SI2300DS-T1-GE3
SI2301
STM8S903K3T6C

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