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SI2304DS

更新時間:2025-07-03 21:10:44

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SI2304DS 概述

SI2304DS是一款N溝道增強型MOSFET，由Vishay公司生產。該器件采用緊湊的SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（VDS）為-20V，適用于各種低壓應用場合。典型應用場景包括負載開關、電源管理以及便攜式設備中的DC-DC轉換器。在電池供電系統(tǒng)中，由于其低功耗和高效能表現(xiàn)尤為適合。使用時應注意避免超過最大額定值，并且在PCB布局上盡量減小寄生電感以優(yōu)化性能。對于需要高效功率控制的設計，SI2304DS是一個理想選擇。

SI2304DS 規(guī)格參數(shù)

典型關斷延遲時間
18 ns
典型接通延遲時間
4 ns
典型柵極電荷@Vgs
4.6 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
147 pF V @ 10
安裝類型
表面貼裝
寬度
1.4mm
封裝類型
TO-236AB
尺寸
3 x 1.4 x 1mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
830 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
30 V
最大漏源電阻值
0.177
最大連續(xù)漏極電流
1.7 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
3mm
高度
1mm

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