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SI2303BDS-T1

更新時間:2025-07-05 22:59:09

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SI2303BDS-T1 概述

SI03BDS-T1是一款由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET。該器件采用D-SOT23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，在VGS=-4.5V時的最大連續(xù)漏極電流(ID)可達-2.8A。它適合用于負載開關(guān)、電源管理以及電池充電電路等應(yīng)用中。由于其緊湊的封裝尺寸和良好的電氣性能，特別適用于便攜式設(shè)備如手機、平板電腦等對空間有嚴格要求的產(chǎn)品設(shè)計。在實際應(yīng)用中，需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET能完全導(dǎo)通，并且要考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┍苊膺^熱。

SI2303BDS-T1 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SI2303BDS
標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.49A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 1.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 15V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)

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SI2300BDS-T1-E3
SI2300DS
SI2300DS-T1-E3
SMBJ40CA

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